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三氟化氮

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三氟化氮
IUPAC名
Nitrogen trifluoride
别名 氟化氮
三氟胺
三氟氨
识别
CAS号 7783-54-2 ?
PubChem 24553
UN编号 2451
RTECS QX1925000
性质
化学式 NF3
摩尔质量 71.0019 g·mol⁻¹
外观 无色气体
密度 3.003 kg/m3 (1 atm, 15 °C)
1.885 g/cm3 (沸点时,液态)
熔点 −207.15 °C(66 K)
沸点 −129.1 °C(144 K)
溶解性 0.021 vol/vol (20 °C, 1 bar)
结构
分子构型 三角锥
偶极矩 0.234 D
危险性
MSDS Air Liquide MSDS
欧盟编号 未列出
NFPA 704
NFPA 704.svg
0
1
0
OX
闪点 不易燃
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。

三氟化氮NF3)是卤化氮中最稳定的无机化合物,可在的催化下由气与气制成。 它可以用作氟化氢激光器的氧化剂,半导体、液晶和薄膜太阳能电池生产过程中的蚀刻剂。曾被试做火箭燃料。 但由于三氟化氮属于温室气体,能加剧温室效应,因此有人认为应该限制这种化合物的使用。

三氟化氮在半導體及TFT-LCD製造的薄膜製程中扮演「清潔劑」的角色,不過這類清潔劑是氣態,而非液態。

在半導體中,薄膜製程的主要設備是「化學氣相沉積」(CVD)機台,會在晶圓片上長出薄膜。薄膜的成份有可能是矽、二氧化矽或其他金屬材料,但這些材料不僅會附著在晶片上,也附著在反應室內的牆壁上,內牆上的二氧化矽累積至相當數量,就會在反應室內形成微塵粒子(Particle),影響晶圓片的良率。

因此每台CVD機台在處理過規定數量的晶圓片後,就要使用含氟的氣體清洗,以去除內壁上的矽化物質。不過NF3與CF4、C2F6等氣體都屬於多氟碳化物,是造成溫室效應的來源之一。半導體廠為了降低排氣對溫室效應的影響,在排放含氟廢氣前,會以高溫(攝氏700、800度才進行)將氣體由有機轉分解為無機,才不會破壞臭氧層。

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